パワー半導体/SiC・GaNパワー半導体のハイ・サイド電圧測定に最適なプローブシステム
R&S®RT-ZISO は、最大1 GHz の帯域幅と最大3000 V のダイナミックレンジを有し、CMRR の仕様も優れているため、高電圧差動プローブを使用した場合と比べて、コモンノイズの影響もなく信号の正確な特性を確認することができます。
ローデ･シュワルツ･ジャパン株式会社 光絶縁プロービング・システム (R&S®RT-ZISO)
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